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联合微电子中心(CUMEC)发布180nm全套硅光工艺PD

联合微电子中心(CUMEC)发布180nm全套硅光工艺PD

2020 年 5 月 30 日,联合微电子中心(CUMEC)在重庆向全球隆重发布“180nm 全套硅光工艺PDK(process design kit)”。180nm 全套硅光工艺 PDK 的发布标志着联合微电子中心具备硅基光电子领域全流程自主工艺能力,并正式开始向全球提供硅光芯片流片服务。

硅光芯片是将硅光材料和器件通过特殊工艺制造的集成电路,主要由光源、调制器、探测器、无源波导器件等组成,将多种光器件集成在同一硅基衬底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、传输带宽更高等特点,因为硅光芯片以硅作为集成芯片的衬底,所以能集成更多的光器件;在光模块里面,光芯片的成本非常高,但随着大规模生产的实现,硅光芯片的低成本成了巨大优势;硅波导的传输性能好,因为硅光材料折射率差更大,可以实现高密度的波导和同等面积下更高的传输带宽。

近几年,硅光芯片被广为提及,从概念到产品,它的发展速度让人惊叹。硅光芯片有着非常可观的前景,尤其是在 5G 商用来临之际,企业纷纷加大投入,抢占市场先机。包括英特尔、比利时 IMEC、新加坡 AMF、格芯半导体等都具备了硅光芯片的研发和制造能力。

联合微电子中心成立于 2018 年 10 月,是中国电科和重庆市共同打造的微电子技术协同创新平台,致力于解决国家微电子行业及其未来产业高端发展需求,走超越摩尔定律的技术路线,打造集硅基光电子、异质异构三维集成、锗硅射频等工艺、技术和产品为一体的光电融合高端特色工艺平台。

联合微电子中心 8 英寸生产线从 2019 年 6 月搬入首台设备,到 2020 年 5 月发布国内首个自主研发的 180nm 全套硅光工艺 PDK,时间不足一年,首批发布的 PDK 器件水平优秀,表明联合微电子中心的研发能力和工艺水平达到国际先进水平。值得庆贺的是,联合微电子中心的 8 英寸生产线部分设备采用了来自电科装备(烁科)、北方华创的设备作为基线(BASELINE)设备。

联合微电子中心(CUMEC)发布180nm全套硅光工艺PD

联合微电子中心此次发布的是 PDK 命名为 CSIP180AL,其中 C 代表联合微电子(CUMEC),SIP 代表硅光子(Silicon Photonics),180 代表 180 纳米工艺节点,AL 代表铝互连(Aluminum interconnect)。预计 2021 年 5 月发布基于铜互连的 PDK2.0。

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